|
|
|
УДК: 536.4: 621.373.826:546.28Ашиккалиева К.Х., Каныгина О.Н., Васильченко А.С. МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ПРИ ИЗОТЕРМИЧЕСКОМ И ЛАЗЕРНОМ ОТЖИГАХМетодами оптической и атомно-силовой микроскопии, фрактального анализа исследованы модификации поверхности монокристаллического кремния под действием изотермического и лазерного отжигов. Выявлено, что лазерный отжиг вызывает проплавление поверхности кремния и формирование на ней периодических структур, тогда как изотермический отжиг приводит к перераспределению дислокаций и образованию оксидной пленки.Ключевые слова: монокристаллический кремний, изотермический отжиг, лазерный отжиг, дислокация, периодические структуры, оксидная пленка.
Список использованной литературы:
1. Светухин, В.В. Моделирование современных перспективных кремниевых технологий, основанных на управлении процессами кластеризации и преципитации кислорода в кремнии. — Ульяновск: УлГУ, 2006. — 108 с.
2. Горелик С.С., Дашевский М.Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. — Москва: Металлургия, 1988. — 574 с.
3. Григорянц, А.Г. Технологические процессы лазерной обработки. — Москва: МГТУ имени им. Н.Э. Баумана, 2006. — 664 с.
4. Банишев А.Ф., Балыкина Е.А. Разрушение поверхности кремния и меди при импульсном и импульсно-периодическом воздействии Nd:YAG лазера // Квантовая электроника. — 1997. — Т. 24, №6. — С. 557–559.
О статье
Авторы: Ашиккалиева К.Х., Каныгина О.Н., Васильченко А.С.
Год: 2012
|
|
Главный редактор |
Сергей Александрович МИРОШНИКОВ |
|
|