Вестник On-line
Оренбургский государственный университет 04 августа 2020   RU/EN
Рубрики Вестника
Педагогика
Психология
Другие

Поиск
Vak
Антиплагиат
Orcid
Viniti
ЭБС Лань
Rsl
Лицензия Creative Commons

2014, № 4 (165)



УДК: 621.315Булярский С.В., Жуков А.В., Игошина А.А. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ВЕРОЯТНОСТЬ ТЕРМИЧЕСКОЙ ЭМИССИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА С ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙВ работе получено выражение для вероятности перехода с рекомбинационного центра с учетом электрон-фононного взаимодействия. Показано, что с ростом тепловыделения, которое определяет величину дисперсии форм-функции перехода, вероятность перехода быстро возрастает. Это может приводить к высоким значениям обратного тока полупроводниковых структур, в области пространственного заряда которых содержаться вакансионно-примесные комплексы.Ключевые слова: глубокие уровни, рекомбинация, электрон-фононного взаимодействия, вероятность перехода, термическая эмиссия.

Загрузить
Список использованной литературы:

1. Тимашов, С.Ф. О термическом поглощении в сильном электрическом поле ниже края поглощения / С.Ф. Тимашов // ФТТ. 1972. — Т.14. — С. 2621.

2. Тимашов, С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках / С.Ф. Тимашов // ФТТ, 1972. — Т.14. — с.171.

3. Куджмаускас, Ш.П. Теория туннелирования электронов из глубоких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических полях с учетом многофононных процессов / Ш.П. Куджмаускас // Лит. Физ. Сб., 1976. — №4. — Т. 19. — С. 459.

4. Kiveris A., Kudzmauskas S., Pipinys P. Release of electrons from trap by an a electryc field with phonon participation // Phys. Stat. Sol., 1976, v.37, p.321.

5. Далидчик, Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электрическом поле / Ф.И. Далидчик // ЖЭТФ, 1978. — Т. 74. — В. 2. — С.472.

6. Passler R. Temperatyre dependances of the nonradiative multiphonon carrier-capture and injection properties of deep trap in semiconductors // Phys. Stat. Sol., 1978, v.85, p.203.

7. Pons D., Makram-Ebeid S. Phonon assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J.Phis. (France)/ 1979,v.40, No 12, p. 1168.

8. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett., 1980, v.37, No 5, p.464.

9. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev., 1982, v.25, No 10, p. 6406.

10. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors // Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No 18, p. 1281.

11. Берсукер, И.Б. Электронное строение и свойства координационных соединений / И.Б. Берсукер . — Издательство "Химия", Ленинградское отделение, 1976. — 350с.

12. Перлин, Ю.Е., Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов / Ю.Е. Перлин // УФН, 1963. — Т. 80. — В. 4. — с.553.

13. Булярский, С.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах / С.В. Булярский, Н.С. Грушко. — М. : МГУ, 1997. — 462 с.


О статье

Авторы: Булярский С.В., Жуков А.В., Игошина А.А.

Год: 2014


Главный редактор
Жанна Анатольевна
ЕРМАКОВА

Crossref
Cyberleninka
Doi
Europeanlibrary
Googleacademy
scienceindex
worldcat
© Электронное периодическое издание: ВЕСТНИК ОГУ on-line (VESTNIK OSU on-line), ISSN on-line 1814-6465
Зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций
Свидетельство о регистрации СМИ: Эл № ФС77-37678 от 29 сентября 2009 г.
Учредитель: Оренбургский государственный университет (ОГУ)
Главный редактор: Ж.А. Ермакова
Адрес редакции: 460018, г. Оренбург, проспект Победы, д. 13, к. 2335
Тел./факс: (3532)37-27-78 E-mail: vestnik@mail.osu.ru
1999–2020 © ЦИТ ОГУ