2014, № 3 (164)

УДК: 621.315Булярский С.В., Жуков А.В., Игошина А.А. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ НА ОБРАТНЫЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ P-N-ПЕРЕХОДОВВ работе показана важная роль электрон-фононного взаимодействия при формировании величины обратного тока. Избыточные обратные токи обусловлены ускорением термической эмиссии в сильных электрических полях. Это ускорение усиливается под действием электрон-фононного взаимодействия. В работе разработан алгоритм расчета величины обратных токов на основании данных, полученных из анализа вольтамперных характеристик. Ключевые слова: глубокие уровни, рекомбинация, электрон-фононное взаимодействие, вероятность перехода, сильные электрические поля, вольтамперная характеристика.

Загрузить

Список использованной литературы:

1. Lutz J., Schlangenotto H., Scheuermann U., Doncker R., "Semiconductor Power Devices". Springer Heidelberg Dordrecht London New York, 2011, 536 c.

2. Булярский С.В., Грушко Н.С. "Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах" , М: МГУ, 1997, 462 с.

3. Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. "Лавинный пробой в р-п-переходах" Л:Энергия, 1980, 156 с.

4. Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К. "Статистическая задержка пробоя микроплазм в фосфидогаллиевых р-п-переходах"/ Физика и техника полупроводников, 1999, Т.33, №11, С.1345-1349.

5. Sah Chih-Thing, Noyce R.N., Shockley W . Carrier generation and recombination in p-n junctions and p-n junction caracteristics. // Proc. IRE. 1957. V.45. № 9. P. 1228 -1243.

6. Тимашев С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках. ФТТ. 1974. Т.16. С.804-806.

7. Булярский С.В. Грушко Н.С., Гуткин А.А. Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au-n-InP. // ФТП. 1975. Т.9. С.287 — 291.

8. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Использование форм-функции оптического элекронно-колебательного перехода для вычисления полевой зависимости скорости безызлучательного перехода. Оптика и спектроскопия, 2000, т.88, в.3, с.415-418.

9. Булярский С.В., Грушко Н.С., Жуков А.В. Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VGaSAs в арсениде галлия.// ФТП, 2000, т.34, в.1, с.41-45.

10. Булярский, С.В. , Н.С.Грушко, А.В. Локалин "Рекомбинационная спектроскопия глубоких центров в GaP светодиодах"// ФТП. 1999. т.33. В.6. с. 723-726.

О статье

Авторы: Булярский С.В., Жуков А.В., Игошина А.А.

Год: 2014

Главный редактор

Сергей Александрович
МИРОШНИКОВ

© Электронное периодическое издание: ВЕСТНИК ОГУ on-line (VESTNIK OSU on-line), ISSN on-line 1814-6465
Зарегистрировано в Федеральной службе по надзору в сфере связи, информационных технологий и массовых коммуникаций
Свидетельство о регистрации СМИ: Эл № ФС77-37678 от 29 сентября 2009 г.
Учредитель: Оренбургский государственный университет (ОГУ)
Главный редактор: С.А. Мирошников
Адрес редакции: 460018, г. Оренбург, проспект Победы, д. 13, к. 2335
Тел./факс: (3532)37-27-78 E-mail: vestnik@mail.osu.ru